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（原標題：電動車、新能源領域的需求急增 第三代半導體加速“上車”）

日本半導體材料大廠昭和電工近日宣布，其碳化硅（SiC）功率半導體的8英寸SiC 外延晶圓已開始進行樣品出貨。昭和電工表示，和原先使用硅晶圓的功率半導體相比，SiC功率半導體的電力損耗更少、更不易發熱，來自電動車、再生能源領域的需求急增。

SiC半導體性能優異，其禁帶寬度是硅的3倍，擊穿電壓是硅的8-10倍，導熱率是硅的3-5倍，電子飽和漂移速率是硅的2-3倍。SiC能夠有效滿足電力電子系統的高效率、小型化和輕量化要求，是制作高溫高頻、大功率高壓器件的理想材料之一。券商人士分析指出，未來隨著大直徑襯底占比提升、襯底和外延晶片質量提高、單晶平均可用厚度持續增加以及擴產導致規模效應增大，SiC產業鏈各環節成本有望持續降低，并實現對于下游領域的加速滲透。

據財聯社主題庫顯示，相關上市公司中：

天岳先進在半絕緣SiC襯底的市場占有率連續三年保持全球前三，公司日前與客戶簽訂了預計金額13.93億元的長期協議。

露笑科技表示，碳化硅襯底片現在已經在連續供貨，目前每個月可供1000片左右，預計到今年年底可以實現5000片/月的供貨能力，在價格方面，預計1-2年內難以下跌，甚至可能上漲。

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